Magnachip推出全新24V BatteryFET用於三折疊智慧型手機電池保護

– 基於超短通道場效電晶體技術，實現晶片尺寸減少 26%，R_ss(on) 改善 31%

– 為各種行動裝置擴展電池保護解決方案。

韓國首爾–(BUSINESS WIRE)–#BatteryFET–Magnachip Semiconductor Corporation(紐約證券交易所代碼:MX,「Magnachip」)今日宣布推出專為新世代三折疊智慧型手機電池保護電路設計的全新第 7 代 24V MXT LV MOSFET¹,強化其在高階折疊式智慧型手機市場的地位。該產品現已量產,目前正供應給一家全球主要智慧型手機製造商,已展現經過驗證的性能和可靠性。

新推出的 24V 雙 N 通道 MOSFET(MDWC24D058ERH)採用 Magnachip 專有的超短通道場效電晶體(SSCFET®)² 技術,與前一版本相比,晶片尺寸減少了約 26%。這使製造商能夠將電池保護電路模組(PCM)板的佔用面積減少 20% 以上,讓節省的空間可用於增加電池容量或更纖薄的裝置設計。

三折疊智慧型手機具有可折疊兩次並同時操作三個顯示器的全新外形,可實現高效能多工作業。因此,其內部結構變得更加複雜、更節能、更可靠,同時在設計上也變得越來越關鍵。因此,這些裝置需要高度整合且高效的 MOSFET 解決方案,以管理複雜的內部結構,同時確保電源穩定性。

除了三折疊智慧型手機外,新產品還可應用於各種行動應用,包括穿戴式裝置和平板電腦。它將 R_SS(on)(功率損耗的主要來源)降低了最多約 31%,有助於減少發熱。與傳統溝槽製程相比,新產品還將單位面積電流密度提高了約 48%,支援高電流條件下的穩定電壓控制。此外,它還整合了超過 2kV 的靜電放電(ESD)保護,有助於保護電池系統免受外部干擾。

根據市場研究公司 Omdia 的數據,包括智慧型手機電池 FET 在內的 40V 以下矽功率 MOSFET 市場預計將從 2025 年的約 42 億美元增加到 2029 年的約 52 億美元,複合年增長率約為 4.6%。在這個市場中,包括三折疊智慧型手機在內的高階智慧型手機領域預計將推動增長,並受到對高性能和高效率元件需求增加的支持。

Magnachip 技術長 Hyuk Woo 表示:「三折疊智慧型手機代表需要先進技術和卓越元件可靠性的高階行動裝置。透過供應這款全新 MOSFET 產品,我們再次展現了 Magnachip 的功率半導體設計能力和技術競爭力。展望未來,我們將透過持續創新,繼續擴展針對各種行動應用(包括智慧型手機、穿戴式裝置和平板電腦)的功率半導體產品組合。」

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