VisIC CEO：以創新GaN技術聚焦EV與AI資料中心市場

作為寬能隙(WBG)半導體家族中的一員，GaN功率元件近兩年獲得了比之前更高的關注度，正逐漸成為第三代半導體材料中最耀眼的一顆新星。根據Yole預測，到2028年，GaN功率元件市場的價值將從2021年的1.26億美元成長到20.4億美元，年複合成長率(CAGR)高達49%，消費性電子、汽車、電信、資料通訊等應用對其青睞有加。

2022~2028年GaN功率元件市場。

(來源：Yole)

日前，成立於2010年的GaN技術創新企業VisIC Technologies亮相北京，在與媒體的對話中，該公司執行長Tamara Baksht表示，作為獲得現代汽車集團B輪投資、並在全球GaN功率元件領域佔據技術高地的創新企業，VisIC正以獨特的D型GaN (D³GaN)技術為核心，在電動車與AI資料中心兩大高價值賽道持續發力。

VisIC Technologies執行長Tamara Baksht

以技術創新定義產業標準

VisIC成立於2010年，總部位於以色列Ness Ziona。成立初期，公司聚焦GaN材料加工與元件設計的基礎研究，並取得多項產業首創成果，包括原始未摻雜增強型(E-mode)專利(2011年)、最低導通電阻(RDSON) GaN直接驅動專利D³GaN (2015年)、在雙向車載充電器(Bi-OBC)中贏得設計訂單(2018年)、與全球五大公司之一的電動車驅動專案實現設計入選(2019年)等。

隨著技術成熟度提升，團隊發現GaN元件在可靠性、高壓耐受性等方面，與電動車等高階應用場景的需求高度契合，因此將策略重心轉向汽車級GaN產品開發，開啟了「從技術到產品」的商業化轉型，並在2023~2024年間實現多項關鍵技術與供應鏈里程碑，例如陸續開始與歐洲、亞洲主要OEM展開合作、第一代D³GaN模組在功率超過100kW的馬達上完成測試、第二代D³GaN模組完成OEM性能驗證等。

目前，公司設有功率電子工程、核心研發等專業團隊，由執行長暨聯合創始人Tamara Baksht、技術長暨聯合創始人 Gregory Bunin、策略長Ran Soffer等核心成員帶隊，建構了「技術研發-產品落地-戰略佈局」的三位一體管理體系。

資本層面，2010~2021年間，VisIC累計融資額達7,220萬美元。2026年1月，公司完成了由全球半導體領導者領投的2,600萬美元B輪融資，現代汽車和Kia作為戰略投資者參投。新資金將加速VisIC路線圖，包括優化、認證與發佈第三代750V GaN晶片與功率模組；開發第四代13,50V GaN技術；穩定並擴大GaN產品對電動車牽引逆變器的交付規模；拓展新興800V資料中心供電需求。

D³GaN建構高功率核心優勢

在功率半導體領域，GaN憑藉開關速度快、損耗低等特性，正逐步成為電動車、資料中心等高階應用的核心選擇。而VisIC深耕的D³GaN技術，更是在產業內形成了差異化競爭優勢。

Baksht指出，電動車用功率元件需滿足四大核心要求：絕對可靠、量產統一性、低開關損耗及高閾值電壓下的大功率輸出，而D³GaN技術正是針對這些需求的「客製化解決方案」。

從技術原理來看，與傳統的增強型(E-mode) GaN不同，採用直驅架構的D³GaN先天具備更寬的安全操作區間，容錯空間充足，在高功率場景下能有效規避失效風險，非常適合電動車、AI資料中心等關鍵驅動場景對「高可靠性、高強健性」的核心需求。

維吉尼亞理工大學(Virginia Tech)的測試資料顯示，在高壓環境下經過半小時百萬次循環測試，D³GaN解決方案在感性負載開關中的表現可與矽及碳化矽(SiC)媲美，而增強型GaN在該場景下因閘極穩定性問題難以實現穩定性能。而在主動短路測試中(模擬車輛失效場景)，矽與碳化矽元件需比D³GaN高3倍的電流才能實現同等安全制動效果，這一特性讓D³GaN在汽車安全領域具備不可替代的價值。

VisIC提供的資料顯示，其GaN-on-Silicon製程的D³GaN產品，在130kW功率下實現了99.67%的超高效率，WITT工況下損耗較碳化矽降低250%，也無需散熱中間層，熱阻率較碳化矽降低30%，且平台標準化程度高，可相容多種驅動器，適配量產需求。

值得關注的是，透過獨特的閾值電壓與電流解耦技術，D³GaN可同時實現大電流輸出(最高100A)與高閾值電壓(+7V安全域量，媲美IGBT)，解決了傳統功率元件在這兩項指標上的「兩難矛盾」。這一技術突破已通過現代汽車等領先車企的長期驗證，成為其獲得戰略投資的核心依據。

建構「汽車+資料中心」成長引擎

聚焦電動車與AI資料中心兩大高價值賽道，同時向工業驅動、再生能源等領域延伸，並由此建構起覆蓋從基礎元件到系統解決方案的產品矩陣，已經成為VisIC清晰的市場佈局理念。

目前，在電動車領域，VisIC的核心產品包括功率半導體元件(650V/850V/1,200V高壓電晶體)、牽引逆變器(80~300kW)、OBC。值得關注的是，VisIC與恩智浦(NXP)聯合開發的GaN驅動方案(含短路保護功能)已落地應用，雙方合作打造的演示車將於2026年在特斯拉(Tesla)上得到應用。

在AI資料中心領域，VisIC瞄準供電單元的「高效化、高頻化」需求，針對AI算力提升帶來的800V高壓架構轉型趨勢，推出第四代D³GaN產品，電壓範圍800~1,350V，且透過GaN-on-Silicon技術路徑實現成本顯著降低。

Baksht指出，為支撐AI需求，電力電子必須持續演進，在相同體積內提供4~6 倍的功率，並具備更高效率，以將熱預算控制在安全範圍內。而且資料中心供電的可靠性要求不亞於甚至高於汽車領域，其產品需支援全天候不間斷運作，而D³GaN的高穩定性與低損耗特性，恰好匹配AI資料中心朝2MW高頻功率發展的需求。

在談及GaN與碳化矽的市場關係時，Baksht認為十年內兩者將處於長期並存的狀態——現有碳化矽解決方案將持續服務至生命週期終結，而GaN憑藉更優的性能與成本優勢，在新應用、新場景中會加速滲透。

未來，與碳化矽從OBC逐步向逆變器拓展的路徑不同，GaN將採取多路徑齊頭並進的策略，同步覆蓋電動車逆變器、資料中心供電等核心場景，最終可望主導中高功率元件市場。

Baksht表示，VisIC未來幾年將重點聚焦兩大技術方向：一是400V/800V大電流的電動車主推逆變器，進一步優化元件的熱性能與可靠性；二是朝2MW資料中心方向發展，開發更出色的GaN元件，滿足AI算力成長帶來的功率需求。但她同時也指出，從產業趨勢來看，GaN技術正逐步從「利基市場」走向「全面滲透」。也就是說，會有越來越多的企業，圍繞不同應用，開發出各種類型的GaN產品，覆蓋低功率大電流、低功率高電壓、中高功率等多元場景。在這一過程中，無論是增強型或是D³GaN，還是GaN-on-SiC、GaN-on-GaN等技術，都將獲得各自的機會，共同填補電源市場的細分需求。

生態共建為核心

作為全球最大的電動車市場、AI產業高地及再生能源投資引領者，中國成為VisIC全球戰略的核心關注點，並不令人感到意外。在業務優先順序上，電動車主推逆變器被列為首要方向。Baksht解釋，該領域技術成熟度高、供應鏈基礎完善，且已有明確的客戶需求，透過與中國車企及Tier 1供應商聯合開發樣板車，完成軟體適配與場景驗證，可快速實現技術落地。而在資料中心市場，則需要先聚焦正確的細分賽道，待戰略清晰後逐步擴大佈局。

過去五個月內，Baksht及核心團隊三次到訪中國，半數時間用於對接晶圓代工、封裝測試、驅動器開發等產業鏈夥伴，計畫將從晶片製造到軟體適配的全環節實現當地語系化。此外，VisIC還與中國部分學術研究機構及製造企業展開合作探討，共同規劃GaN功率元件的技術方向與產能佈局，打造，低成本、高性能、可量產」的本土供應鏈體系。

這一思路與VisIC在歐美市場的供應鏈建設邏輯一致——透過與本土企業深度綁定，不僅能降低物流與製造成本，更能快速回應市場需求變化。

VisIC策略長Ran Soffer認為，那些「具備資深工程背景與強烈創新意願的企業」將成為優先考量的對象。畢竟，「下一波GaN技術的落地，需要合作夥伴具備將技術轉化為解決方案的能力，而非單純的產品採購。」

「對VisIC來說，中國不會僅僅是銷售目的地，更要成為技術落地與生態協同的戰略腹地。」在Baksht看來，中國產業生態完整、創新節奏快，且對高效半導體解決方案的需求迫切，這與VisIC的技術優勢高度契合。

本文原刊登於EE Times China網站

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